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BS107P
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-92-3
技术参数：MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：BS107P制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：200V25°C时电流-连续漏极(Id)：120mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.6V，5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：30 欧姆 @ 100mA，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：-不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-FET功能：-功率耗散（最大值）：500mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：通孔器件封装：TO-92-3现在可以订购BS107P，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
