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DDTB113EC-7-F
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
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技术参数详情：
制造商产品型号：DDTB113EC-7-F制造商：Diodes Incorporated描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置零件状态：有源晶体管类型：PNP - 预偏压电流-集电极(Ic)（最大值）：500mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基极(R1)：1 kOhms电阻器-发射极(R2)：1 kOhms不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：33 @ 50mA，5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 2.5mA，50mA电流-集电极截止（最大值）：500nA频率-跃迁：200MHz功率-最大值：200mW安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3现在可以订购DDTB113EC-7-F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
