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DDTC115GE-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：SOT-523
技术参数：TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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技术参数详情：
制造商产品型号：DDTC115GE-7制造商：Diodes Incorporated描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置零件状态：停产晶体管类型：NPN - 预偏压电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA电压-集射极击穿（最大值）：50V电阻器-基极(R1)：-电阻器-发射极(R2)：100 kOhms不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：82 @ 5mA，5V不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，10mA电流-集电极截止（最大值）：500nA（ICBO）频率-跃迁：250MHz功率-最大值：150mW安装类型：表面贴装型封装：SOT-523现在可以订购DDTC115GE-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
