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DGD2190MS8-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：电源管理IC - 栅极驱动器，产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
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技术参数详情：
制造商产品型号：DGD2190MS8-13制造商：Diodes Incorporated描述：IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器包装：卷带（TR）系列：-零件状态：有源驱动配置：半桥通道类型：独立式驱动器数：2栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET电压-供电：10V ~ 20V逻辑电压?-VIL，VIH：0.8V，2.5V电流-峰值输出（灌入，拉出）：4.5A，4.5A输入类型：非反相高压侧电压-最大值（自举）：600V上升/下降时间（典型值）：25ns，20ns工作温度：-40°C ~ 125°C（TA）安装类型：表面贴装型产品封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购DGD2190MS8-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
