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DGTD65T50S1PT
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-247-3
技术参数：IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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技术参数详情：
制造商产品型号：DGTD65T50S1PT制造商：Diodes Incorporated描述：IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列：-零件状态：有源IGBT类型：场截止电压-集射极击穿（最大值）：650V电流-集电极(Ic)（最大值）：100A电流-集电极脉冲(Icm)：200A不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.4V @ 15V，50A功率-最大值：375W开关能量：770μJ（开），550μJ（关）输入类型：标准栅极电荷：287nC25°C时Td（开/关）值：58ns/328ns测试条件：400V，50A，7.9 欧姆，15V反向恢复时间(trr)：80ns工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）安装类型：通孔封装：TO-247-3现在可以订购DGTD65T50S1PT，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
