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DMC1018UPD-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerTDFN
技术参数：MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMC1018UPD-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：12V，20V25°C时电流-连续漏极(Id)：9.5A，6.9A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：17 毫欧 @ 11.8A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：30.4nC @ 8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1525pF @ 6V功率-最大值：2.3W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerTDFN现在可以订购DMC1018UPD-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
