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DMC3016LDV-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMC3016LDV-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI333系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道互补型FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：21A（Tc），15A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：12 毫欧 @ 7A，10V，25 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：9.5nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1184pF @ 15V，1188pF @ 15V功率-最大值：900mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购DMC3016LDV-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
