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DMC3025LSDQ-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFETN/P-CH30VSO-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMC3025LSDQ-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFETN/P-CH30VSO-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 和 P 沟道FET功能：标准漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：6.5A（Ta），4.2A（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：20 毫欧 @ 7.4A，10V，45 毫欧 @ 5.2A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.6nC，5.1nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：501pF，590pF @ 15V，25V功率-最大值：1.2W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购DMC3025LSDQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
