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DMG1012TQ-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-523
技术参数：MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMG1012TQ-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：630mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.8V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 4.5VVgs（最大值）：±6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：60.67pF @ 16VFET功能：-功率耗散（最大值）：280mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-523现在可以订购DMG1012TQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
