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DMG6602SVT-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
技术参数：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMG6602SVT-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：不適用於新設計FET类型：N 和 P 沟道FET功能：逻辑电平栅极，4.5V 驱动漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.4A，2.8A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：60 毫欧 @ 3.1A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：13nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400pF @ 15V功率-最大值：840mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6现在可以订购DMG6602SVT-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
