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DMN100-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：单端场效应管，SC-59-3
技术参数：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3
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技术参数详情：
Diodes公司完整型号：DMN100-7制造厂家名称：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 30V 1.1A SC59-3系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.1A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：240 毫欧 @ 1A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：5.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：150pF @ 10V功率 - 最大值：500mW安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供应商器件封装：SC-59-3现在可以订购DMN100-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
