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DMN2016LHAB-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：6-UDFN
技术参数：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN2016LHAB-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N 沟道（双）共漏FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：7.5A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：15.5 毫欧 @ 4A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1550pF @ 10V功率-最大值：1.2W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：6-UDFN现在可以订购DMN2016LHAB-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
