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DMN2055U-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-23
技术参数：MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN2055U-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 1系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：4.8A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：38 毫欧 @ 3.6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：4.3nC @ 4.5VVgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：400pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：800mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23现在可以订购DMN2055U-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
