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DMN2100UDM-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-26
技术参数：MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN2100UDM-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-26系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：20V25°C时电流-连续漏极(Id)：3.3A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：1.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：55 毫欧 @ 6A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：-Vgs（最大值）：±8V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：555pF @ 10VFET功能：-功率耗散（最大值）：1W（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-26现在可以订购DMN2100UDM-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
