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DMN61D8L-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：SOT-23
技术参数：MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN61D8L-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：470mA（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：3V，5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 150mA，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 5VVgs（最大值）：±12V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12.9pF @ 12VFET功能：-功率耗散（最大值）：390mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：SOT-23现在可以订购DMN61D8L-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
