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DMN61D8LVTQ-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
技术参数：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN61D8LVTQ-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：630mA不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 欧姆 @ 150mA，5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.74nC @ 5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：12.9pF @ 12V功率-最大值：820mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6现在可以订购DMN61D8LVTQ-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
