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DMN63D1LV-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：SOT-563，SOT-666
技术参数：MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMN63D1LV-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2 N-CH 60V 550MA SOT563系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：550mA（Ta）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2 欧姆 @ 500mA，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：0.392nC @ 4.5V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：30pF @ 25V功率-最大值：940mW工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：SOT-563，SOT-666现在可以订购DMN63D1LV-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
