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DMP1012UCB9-7
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：U-WLB1515-9
技术参数：MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMP1012UCB9-7制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET P-CH 8V 10A U-WLB1515-9系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：P 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：8V25°C时电流-连续漏极(Id)：10A（Ta）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10 毫欧 @ 2A，4.5V不同Id时Vgs(th)（最大值）：1.1V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：10.5nC @ 4.5VVgs（最大值）：-6V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1060pF @ 4VFET功能：-功率耗散（最大值）：890mW（Ta）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：U-WLB1515-9现在可以订购DMP1012UCB9-7，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
