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DMS3016SFG-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：单端场效应管，PowerDI3333-8
技术参数：MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8
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技术参数详情：
Diodes公司完整型号：DMS3016SFG-13制造厂家名称：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 30V 7A PWRDI3333-8系列：-FET 类型：MOSFET N 通道，肖特基，金属氧化物!FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13 毫欧 @ 11.2A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：44.6nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1886pF @ 15V功率 - 最大值：980mW安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerVDFN供应商器件封装：PowerDI3333-8现在可以订购DMS3016SFG-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
