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DMS3019SSD-13
制造厂商:Diodes(美台半导体)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
技术参数:MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
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技术参数详情:
制造商产品型号:DMS3019SSD-13制造商:Diodes Incorporated描述:MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:-零件状态:停产FET类型:2 N-通道(双)FET功能:逻辑电平门漏源电压(Vdss):30V25°C时电流-连续漏极(Id):7A,5.7A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):15 毫欧 @ 9A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):42nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):1932pF @ 15V功率-最大值:1.19W工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型:表面贴装型封装:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)现在可以订购DMS3019SSD-13,国内库存当天发货,国外库存7-10天内发货。