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DMT47M2LDV-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-PowerVDFN
技术参数：MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMT47M2LDV-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：11.9A（Ta），30.2A（Tc）不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：10.8 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：14nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：891pF @ 20V功率-最大值：2.34W（Ta），14.8W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-PowerVDFN现在可以订购DMT47M2LDV-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
