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DMTH41M8SPSQ-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerDI5060-8（K 类）
技术参数：MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMTH41M8SPSQ-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：Automotive, AEC-Q101零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：40V25°C时电流-连续漏极(Id)：100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 30A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：79.5nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：6968pF @ 20VFET功能：-功率耗散（最大值）：3.03W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI5060-8（K 类）现在可以订购DMTH41M8SPSQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
