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DMTH6010LPSQ-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PowerDI5060-8
技术参数：MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
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技术参数详情：
制造商产品型号：DMTH6010LPSQ-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：-零件状态：有源FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：60V25°C时电流-连续漏极(Id)：13.5A（Ta），100A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：8 毫欧 @ 20A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：41.3nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2090pF @ 30VFET功能：-功率耗散（最大值）：2.6W（Ta），136W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PowerDI5060-8现在可以订购DMTH6010LPSQ-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
