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HTMN5130SSD-13
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：HTMN5130SSD-13制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 55V 2.6A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：标准漏源电压（Vdss）：55V25°C时电流-连续漏极(Id)：2.6A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：130 毫欧 @ 3A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：8.9nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：218.7pF @ 25V功率-最大值：1.7W工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购HTMN5130SSD-13，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
