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MMBTH10Q-7-F
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 射频，封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
技术参数：RF TRANSISTOR SOT23
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技术参数详情：
制造商产品型号：MMBTH10Q-7-F制造商：Diodes Incorporated描述：RF TRANSISTOR SOT23系列：晶体管 - 双极（BJT）- 射频零件状态：有源晶体管类型：NPN电压-集射极击穿（最大值）：25V频率-跃迁：650MHz噪声系数（dB，不同f时的典型值）：-增益：-功率-最大值：310mW不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：60 @ 4mA，10V电流-集电极(Ic)（最大值）：50mA工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3现在可以订购MMBTH10Q-7-F，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
