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ZXMN3F31DN8TA
制造厂商：Diodes（美台半导体）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列，封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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技术参数详情：
制造商产品型号：ZXMN3F31DN8TA制造商：Diodes Incorporated描述：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品系列：-零件状态：有源FET类型：2 N-通道（双）FET功能：逻辑电平门漏源电压（Vdss）：30V25°C时电流-连续漏极(Id)：5.7A不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：24 毫欧 @ 7A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：12.9nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：608pF @ 15V功率-最大值：1.8W工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）现在可以订购ZXMN3F31DN8TA，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
